Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MRF6S21100NBR1
  • MRF6S21100NBR1
MRF6S21100NBR1

MRF6S21100NBR1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
68 В
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
TO-272 WB-4
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
20,11 ГГц ~ 2,16 ГГц
Увеличение:
14.5dB
Пакет / чемодан:
TO-272BB
Настоящий - тест:
1.05 А
Сила - выход:
23W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
MRF6
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF 68V 2.16GHZ TO272-4
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 V 1,05 A 2,11 ГГц ~ 2,16 ГГц 14,5 дБ 23 Вт TO-272 WB-4

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас