Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MRFE6VP100HSR5
  • MRFE6VP100HSR5
MRFE6VP100HSR5

MRFE6VP100HSR5

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
133 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
NI-780S-4L
Напряжение тока - тест:
50 v
Мфр:
NXP USA Inc.
Частота:
512 МГц
Увеличение:
26dB
Пакет / чемодан:
NI-780S-4L
Настоящий - тест:
100 мам
Сила - выход:
100W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
MRFE6
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 50 В 100 мА 512 МГц 26 дБ 100 Вт NI-780S-4L

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас