Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФД800Р17КЭ3Б2НОСА1
  • ФД800Р17КЭ3Б2НОСА1
ФД800Р17КЭ3Б2НОСА1

ФД800Р17КЭ3Б2НОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
A 1200
Статус продукта:
Не для новых моделей
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 800A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
5200 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
72 nF @ 25 v
Конфигурация:
Одиночный измельчитель
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
FD800R17
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1700В 800А
Характер продукции
Тяпка 1700 v модуля IGBT одиночная 1200 модулей держателя шасси a 5200 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас