Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТГФ25Х120Т1Г
  • АПТГФ25Х120Т1Г
АПТГФ25Х120Т1Г

АПТГФ25Х120Т1Г

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
40 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
sp1
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 25 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
sp1
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
208 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
1,65 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный инвертор моста
Термистор NTC:
Да, да.
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 40А 208Вт SP1
Характер продукции
Инвертор 1200 v моста NPT модуля IGBT полный держатель SP1 40 шасси a 208 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас