Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФЗ1800Р45ХЛ4С7БПСА1
  • ФЗ1800Р45ХЛ4С7БПСА1
ФЗ1800Р45ХЛ4С7БПСА1

ФЗ1800Р45ХЛ4С7БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
1800 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.6V @ 25V, 1800A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
4500 v
Пакет изделий поставщика:
АГ-IHVB190
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
4000000 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
297 нФ при 25 В
Конфигурация:
-
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФЗ1800
Условия оплаты & доставки
Описание
Модуль IGBT
Характер продукции
Диафрагма поля зрения 4500 v канавы модуля IGBT 1800 держателей AG-IHVB190 шасси a 4000000 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас