Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФЗ1200Р12ХП4ХОСА2
  • ФЗ1200Р12ХП4ХОСА2
ФЗ1200Р12ХП4ХОСА2

ФЗ1200Р12ХП4ХОСА2

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
A 1790
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.05V @ 15V, 1200A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Канава
Сила - Макс:
7150 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
74 nF @ 25 v
Конфигурация:
Один переключатель
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФЗ1200
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1200V 1790A 7150W IGBT
Характер продукции
Переключатель 1200 v канавы модуля IGBT одиночный 1790 модулей держателя шасси a 7150 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас