Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФФ800Р17КП4Б2НОСА2
  • ФФ800Р17КП4Б2НОСА2
ФФ800Р17КП4Б2НОСА2

ФФ800Р17КП4Б2НОСА2

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
A 1200
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-А
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
-
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет изделий поставщика:
А-ИХВ130-3
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
W 1200
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
65 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФФ800Р17
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1700В 800А
Характер продукции
Независимый 1700 диафрагмы поля зрения 2 канавы модуля IGBT v 1200 держателей 1200 шасси a w A-IHV130-3

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас