Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
NXH350N100H4Q2F2P1G
  • NXH350N100H4Q2F2P1G
NXH350N100H4Q2F2P1G

NXH350N100H4Q2F2P1G

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
303 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 375 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1000 v
Пакет изделий поставщика:
42-ПИМ/Q2PACK (93x47)
Мфр:
на полу
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
276 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
24,146 нФ при 20 В
Конфигурация:
Трехуровневый инвертор
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
NXH350
Условия оплаты & доставки
Описание
IC МОДУЛЬ ПИТАНИЯ 1000В 350А PIM42
Характер продукции
Инвертор 1000 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехуровневый держатель 42-PIM/Q2PACK 303 шасси a 276 w (93x47)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас