Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФС50Р12КЭ3БОСА1
  • ФС50Р12КЭ3БОСА1
ФС50Р12КЭ3БОСА1

ФС50Р12КЭ3БОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,15 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
270 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,5 nF @ 25 v
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФС50Р12
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1200V 75A 270W IGBT
Характер продукции
Инвертор 1200 v NPT модуля IGBT трехфазный модуль держателя 75 шасси a 270 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас