Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФП35Р12КТ4БОСА1
  • ФП35Р12КТ4БОСА1
ФП35Р12КТ4БОСА1

ФП35Р12КТ4БОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
35 a
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
EconoPIM™ 2
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,25 В при 15 В, 35 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
210 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФП35Р12
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1200V 35A 210W IGBT
Характер продукции
Инвертор 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехфазный модуль держателя 35 шасси a 210 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас