Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФЗ600Р17КЭ3С4ХОСА1
  • ФЗ600Р17КЭ3С4ХОСА1
ФЗ600Р17КЭ3С4ХОСА1

ФЗ600Р17КЭ3С4ХОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
A 1200
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
c
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,45 В при 15 В, 600 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
3 мамы
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
3150 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
54 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
FZ600R17
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1700V 1200A 3150W IGBT
Характер продукции
Диафрагма поля зрения канавы модуля IGBT определяет 1700 v 1200 модулей держателя шасси a 3150 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас