Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
MG0675S-BN4MM
  • MG0675S-BN4MM
MG0675S-BN4MM

MG0675S-BN4MM

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
100 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль С-3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,9 В при 15 В, 75 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет изделий поставщика:
S3
Мфр:
Littelfuse Inc.
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
250 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
4,6 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Описание
МОДУЛЬ 600V 75A 250W S3 IGBT
Характер продукции
Мост 600 v модуля IGBT половинный держатель S3 100 шасси a 250 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас