Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТГТ50ДХ120ТГ
  • АПТГТ50ДХ120ТГ
АПТГТ50ДХ120ТГ

АПТГТ50ДХ120ТГ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
СП4
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
СП4
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
277 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,6 нФ при 25 В
Конфигурация:
Асимметричный мост
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
АПТГТ50
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 75А 277Вт SP4
Характер продукции
Мост 1200 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT несимметричный держатель SP4 75 шасси a 277 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас