Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ВС-ГТ80ДА120У
  • ВС-ГТ80ДА120У
ВС-ГТ80ДА120У

ВС-ГТ80ДА120У

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
139 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
HEXFRED®
Пакет / чемодан:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 80A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
SOT-227
Мфр:
Полупроводник Vishay общий - разделение диодов
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
Канава
Сила - Макс:
658 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
4,4 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
GT80
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1200V 139A 658W SOT227 IGBT
Характер продукции
Канава одиночное 1200 v модуля IGBT держатель SOT-227 139 шасси a 658 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас