Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФС50Р07У1Е4БПСА1
  • ФС50Р07У1Е4БПСА1
ФС50Р07У1Е4БПСА1

ФС50Р07У1Е4БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
SmartPACK1
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,95 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
230 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
95 пФ при 25 В
Конфигурация:
Полный инвертор моста
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФС50Р07
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 650В 75А 230Вт
Характер продукции
Инвертор 650 v моста диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT полный модуль держателя 75 шасси a 230 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас