Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТГТ100ББ60Т3Г
  • АПТГТ100ББ60Т3Г
АПТГТ100ББ60Т3Г

АПТГТ100ББ60Т3Г

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
150 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Через дыру
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
SP3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,9 В при 15 В, 100 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет изделий поставщика:
SP3
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
340 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
6,1 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
АПТГТ100
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 600В 150А 340Вт SP3
Характер продукции
Мост 600 v 150 a 340 w половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT до отверстие SP3

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас