Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
F3L200R07W2S5FB11BOMA1
  • F3L200R07W2S5FB11BOMA1
F3L200R07W2S5FB11BOMA1

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
95 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™, ТРЕНЧСТОП™
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.38V @ 15V, 100A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
АГ-EASY2B
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
nF 14,3 @ 25 v
Конфигурация:
Трехуровневый инвертор
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
F3L200
Условия оплаты & доставки
Описание
МОДУЛЬ IGBT LOW POWER EASY
Характер продукции
Инвертор 650 v 95 a диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT трехуровневый держатель AG-EASY2B 20 шасси mW

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас