Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФП25Р12КС4КБОСА1
  • ФП25Р12КС4КБОСА1
ФП25Р12КС4КБОСА1

ФП25Р12КС4КБОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
40 a
Статус продукта:
Покупка последнего раза
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 25 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
230 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
1,5 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
ФП25Р12
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОД 1200В 40А 230Вт
Характер продукции
Модуль одиночное 1200 v IGBT модуль держателя 40 шасси a 230 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас