Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
МГ12100С-БН2ММ
  • МГ12100С-БН2ММ
МГ12100С-БН2ММ

МГ12100С-БН2ММ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
140 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль С-3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,7 В при 15 В, 100 А (тип.)
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
S3
Мфр:
Littelfuse Inc.
Операционная температура:
-40°C | 125°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
450 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
7,1 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 1200В 140А 450Вт S3
Характер продукции
Мост 1200 v половины диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT держатель S3 140 шасси a 450 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас