Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФЗ1200Р33КФ2КНОСА1
  • ФЗ1200Р33КФ2КНОСА1
ФЗ1200Р33КФ2КНОСА1

ФЗ1200Р33КФ2КНОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
2000 А
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
4.25V @ 15V, 1200A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
3300 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
12 мамы
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
14500 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
150 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФЗ1200
Условия оплаты & доставки
Описание
МОДУЛЬ 3300V 2000A IGBT
Характер продукции
Мост 3300 v модуля IGBT полный 2000 модулей держателя шасси a 14500 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас