Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
Ф4200Р17Н3Е4Б58БПСА1
  • Ф4200Р17Н3Е4Б58БПСА1
Ф4200Р17Н3Е4Б58БПСА1

Ф4200Р17Н3Е4Б58БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
200 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™3
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 200 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет изделий поставщика:
АГ-ЭКОНО3Б
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Ввод:
трехфазный выпрямитель по мостиковой схеме
Входная емкость (Cies) @ Vce:
16 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный инвертор моста
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
F4200R
Условия оплаты & доставки
Описание
ЭКОНОМИЧНАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ AG-ECONO3B-411
Характер продукции
Инвертор 1700 v 200 a моста диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT полный держатель AG-ECONO3B 20 шасси mW

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас