Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФФ800Р12КЭ7ЭХПСА1
  • ФФ800Р12КЭ7ЭХПСА1
ФФ800Р12КЭ7ЭХПСА1

ФФ800Р12КЭ7ЭХПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
800 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
TrenchStop™
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1,75 В при 15 В, 800 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
AG-62MMHB
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 175°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 100
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
122 нФ при 25 В
Конфигурация:
Половинный инвертор моста
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Описание
СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ 62MM
Характер продукции
Инвертор 1200 v моста диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT половинный держатель AG-62MMHB 800 шасси a

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас