Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТ50ГТ120Ю3
  • АПТ50ГТ120Ю3
АПТ50ГТ120Ю3

АПТ50ГТ120Ю3

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
75 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
ISOTOP
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
SOT-227
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-55°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
347 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,6 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1200V 75A 347W SOT227 IGBT
Характер продукции
Диафрагма поля зрения канавы модуля IGBT определяет 1200 v держатель SOT-227 75 шасси a 347 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас