Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
МГ25П12П3
  • МГ25П12П3
МГ25П12П3

МГ25П12П3

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
25 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,25 В при 15 В, 25 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
-
Мфр:
Технология Yangjie
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
175 w
Ввод:
трехфазный выпрямитель по мостиковой схеме
Входная емкость (Cies) @ Vce:
1,9 нФ при 25 В
Конфигурация:
Трехфазный инвертор с тормозом
Термистор NTC:
Да, да.
Условия оплаты & доставки
Описание
Транзисторы - БТИЗ - Модули P3
Характер продукции
Инвертор модуля IGBT трехфазный с тормозом 1200 v держатель 25 шасси a 175 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас