Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТГФ150А120Т3ВГ
  • АПТГФ150А120Т3ВГ
АПТГФ150А120Т3ВГ

АПТГФ150А120Т3ВГ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
210 А
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
SP3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 150 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
SP3
Мфр:
Microsemi Корпорация
Операционная температура:
-
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
NPT
Сила - Макс:
961 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
9,3 нФ при 25 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Да, да.
Условия оплаты & доставки
Описание
МОДУЛЬ 1200V 210A 961W SP3 IGBT
Характер продукции
Мост 1200 v NPT модуля IGBT половинный держатель SP3 210 шасси a 961 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас