Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФФ225Р65Т3Э3БПСА1
  • ФФ225Р65Т3Э3БПСА1
ФФ225Р65Т3Э3БПСА1

ФФ225Р65Т3Э3БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
225 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
XHP™3
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,4 В при 15 В, 225 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
5900 В
Пакет изделий поставщика:
АГ-XHP3K65
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
125°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
1000000 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
65,6 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФФ225Р65
Условия оплаты & доставки
Описание
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6
Характер продукции
Независимый 5900 диафрагмы поля зрения 2 канавы модуля IGBT v держатель AG-XHP3K65 225 шасси a 1000000 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас