Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
F450R07W1H3B11ABOMA1
  • F450R07W1H3B11ABOMA1
F450R07W1H3B11ABOMA1

F450R07W1H3B11ABOMA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
55 a
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
EasyPACK™
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.85V @ 15V, 25A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 50
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
200 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,25 nF @ 25 v
Конфигурация:
Полный инвертор моста
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
F450R07
Условия оплаты & доставки
Описание
Модули IGBT
Характер продукции
Инвертор 650 v моста диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT полный модуль держателя 55 шасси a 200 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас