Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
FD1000R33HE3KBPSA1
  • FD1000R33HE3KBPSA1
FD1000R33HE3KBPSA1

FD1000R33HE3KBPSA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
1000 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ИХМ-Б
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3.1V @ 15V, 1000A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
3300 В
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
11500 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
190 нФ при 25 В
Конфигурация:
Двойной тормозной прерыватель
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФД1000
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 3300В 1000А
Характер продукции
Тяпка 3300 v тормоза диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT двойная 1000 модулей держателя шасси a 11500 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас