Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BYM300B170DN2HOSA1
  • BYM300B170DN2HOSA1
BYM300B170DN2HOSA1

BYM300B170DN2HOSA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
40 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
1.55V @ 15V, 25A
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
650 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 40
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
20 mW
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,8 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Да, да.
Номер базовой продукции:
BYM300
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 650V 40A 20MW IGBT
Характер продукции
Независимый 650 диафрагмы поля зрения 2 канавы модуля IGBT v 40 a модуль держателя 20 шасси mW

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас