Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
Ф4150Р17МЭ4Б11БПСА1
  • Ф4150Р17МЭ4Б11БПСА1
Ф4150Р17МЭ4Б11БПСА1

Ф4150Р17МЭ4Б11БПСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
230 a
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
ЭконоДУАЛ™ 3
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,3 В при 15 В, 150 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1700 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
3 мамы
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Пакет / чемодан:
Модуль
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
12 нФ при 25 В
Конфигурация:
Полный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
F4150R17
Условия оплаты & доставки
Описание
МОДУЛЬ 1700V 230A IGBT
Характер продукции
Мост 1700 v диафрагмы поля зрения канавы модуля IGBT полный модуль держателя 230 шасси a

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас