Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
АПТГТ600У120Д4Г
  • АПТГТ600У120Д4Г
АПТГТ600У120Д4Г

АПТГТ600У120Д4Г

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
900 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Д4
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,1 В при 15 В, 600 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Д4
Мфр:
Технология микрочипов
Операционная температура:
-40°C | 150°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
Диафрагма поля зрения канавы
Сила - Макс:
2500 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
40 nF @ 25 v
Конфигурация:
Одинокий
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
APTGT600
Условия оплаты & доставки
Описание
МОДУЛЬ 1200V 900A 2500W D4 IGBT
Характер продукции
Диафрагма поля зрения канавы модуля IGBT определяет 1200 v держатель D4 900 шасси a 2500 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас