Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
FP7G50US60
  • FP7G50US60
FP7G50US60

FP7G50US60

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
50 a
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
трубка
Серия:
Power-SPM™
Пакет / чемодан:
ЭПМ7
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
2,8 В при 15 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
600 v
Пакет изделий поставщика:
ЭПМ7
Мфр:
на полу
Операционная температура:
-40°C | 125°C (TJ)
Настоящий - выключение сборника (Макс):
µA 250
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
250 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
2,92 нФ при 30 В
Конфигурация:
половинный мост
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
FP7G50
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОДУЛЬ 600В 50А 250Вт EPM7
Характер продукции
Мост 600 v модуля IGBT половинный держатель EPM7 50 шасси a 250 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас