Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ДДБ6У100Н16РРБОСА1
  • ДДБ6У100Н16РРБОСА1
ДДБ6У100Н16РРБОСА1

ДДБ6У100Н16РРБОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
50 a
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,2 В при 20 В, 50 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 150°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
мамы 1
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
350 w
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
3,3 нФ при 25 В
Конфигурация:
Одиночный измельчитель
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ДДБ6У100
Условия оплаты & доставки
Описание
MOD 1200V 50A 350W IGBT
Характер продукции
Тяпка 1200 v модуля IGBT одиночная модуль держателя 50 шасси a 350 w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас