Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ФФ200Р12КС4ХОСА1
  • ФФ200Р12КС4ХОСА1
ФФ200Р12КС4ХОСА1

ФФ200Р12КС4ХОСА1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые продуктыТранзисторыБТИЗБТИЗ-модули
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
275 А
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Пакет:
Поднос
Серия:
c
Пакет / чемодан:
Модуль
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic:
3,7 В при 15 В, 200 А
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
1200 v
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Мфр:
Infineon Technologies
Операционная температура:
-40°C | 125°C
Настоящий - выключение сборника (Макс):
5 мам
Тип IGBT:
-
Сила - Макс:
1400 Вт
Ввод:
Стандартный
Входная емкость (Cies) @ Vce:
13 нФ при 25 В
Конфигурация:
2 независимый
Термистор NTC:
Нет, нет.
Номер базовой продукции:
ФФ200Р12
Условия оплаты & доставки
Описание
БТИЗ МОД 1200В 275А 1400Вт
Характер продукции
Независимый 1200 модуля 2 IGBT v модуль 1400 держателя 275 шасси a w

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас