logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BCR112WH6327XTSA1
  • BCR112WH6327XTSA1
BCR112WH6327XTSA1

BCR112WH6327XTSA1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Одиночные биполярные транзисторы с
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
100 мам
Статус продукта:
Покупка последнего раза
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Частота - переход:
140 MHz
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
50 v
Пакет изделий поставщика:
PG-SOT323
Резистор - основание (R1):
4,7 кОм
Мфр:
Infineon Technologies
Резистор - основание излучателя (R2):
4,7 кОм
Настоящий - выключение сборника (Макс):
100nA (ICBO)
Сила - Макс:
250 мВт
Пакет / чемодан:
SC-70, SOT-323
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
20 @ 5mA, 5В
Номер базовой продукции:
BCR112
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - Предварительно предвзятый 50 V 100 mA 140 MHz 250 mW Поверхностная установка PG-SOT323

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас