logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ПДТК115ЕТ,215
  • ПДТК115ЕТ,215
ПДТК115ЕТ,215

ПДТК115ЕТ,215

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Одиночные биполярные транзисторы с
Настоящий - сборник (Ic) (Макс):
20 мам
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
NPN - Пре-пристрастное
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
Автомобиль, AEC-Q100
Сатурация Vce (Макс) @ Ib, Ic:
150mV @ 250μA, 5mA
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс):
50 v
Пакет изделий поставщика:
TO-236AB
Резистор - основание (R1):
100 kOhms
Мфр:
Nexperia США Inc.
Резистор - основание излучателя (R2):
100 kOhms
Настоящий - выключение сборника (Макс):
1µA
Сила - Макс:
250 мВт
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Увеличение DC настоящее (hFE) (минута) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5В
Номер базовой продукции:
PDTC115
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
Транс Пребиас NPN 250 МВт до 236 AB
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Предварительно предвзятый биполярный транзистор (BJT) NPN - предварительно предвзятый 50 V 20 mA 250 mW Поверхностный монтаж TO-236AB

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас