logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
CGH35060F2
  • CGH35060F2
CGH35060F2

CGH35060F2

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
125 v
Пакет:
Поднос
Серия:
GaN
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
440193
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
3.1 ГГц ~ 3,5 ГГц
Увеличение:
13dB
Пакет / чемодан:
440193
Настоящий - тест:
200 мам
Сила - выход:
470,6 дБм
Технологии:
HEMT
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
CGH35060
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
60W GAN HEMT 28V 4,0 ГГц фланцевая
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 V 200 mA 3,1 ГГц ~ 3,5 ГГц 13 дБ 47,6 дБм 440193

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас