logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLL6H1214P2S-250Z
  • BLL6H1214P2S-250Z
BLL6H1214P2S-250Z

BLL6H1214P2S-250Z

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Не для новых моделей
Конфигурация:
Двойной
Расклассифицированное напряжение тока -:
50 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
Модуль
Напряжение тока - тест:
45 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
1.2 ГГц ~ 1.4 ГГц
Увеличение:
27dB
Пакет / чемодан:
Модуль
Настоящий - тест:
200 мам
Сила - выход:
53dBm
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
BLL6
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
Модуль RF FET LDMOS 50V 27DB
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
Модуль RF Mosfet 45 V 200 mA 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц 27 дБ 53 дБм

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас