logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
ПТФ080101М В1
  • ПТФ080101М В1
ПТФ080101М В1

ПТФ080101М В1

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
GOLDMOS®
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
PG-RFP-10
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Infineon Technologies
Частота:
960 МГц
Увеличение:
16dB
Пакет / чемодан:
10-TFSOP, 10-MSOP (0,118", ширина 3.00mm)
Настоящий - тест:
180 мам
Сила - выход:
10W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
1µA
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 180 мА 960 МГц 16 дБ 10 Вт PG-RFP-10

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас