logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БЛП8Г10С-45ПY
  • БЛП8Г10С-45ПY
БЛП8Г10С-45ПY

БЛП8Г10С-45ПY

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Выпущен в Digi-Key
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента & вьюрок (TR) Раскроенная лента (CT)
Конфигурация:
Двойной, общий источник
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
4-HSOPF
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
952.5 МГц ~ 957,5 МГц
Увеличение:
200,8 дБ
Пакет / чемодан:
SOT-1223-1
Настоящий - тест:
224 мА
Сила - выход:
2.5W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
BLP8G10
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 224 мА 952,5–957,5 МГц 20,8 дБ 2,5 Вт 4-HSOPF

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас