logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
PXAE183708NB-V1-R2
  • PXAE183708NB-V1-R2
PXAE183708NB-V1-R2

PXAE183708NB-V1-R2

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
PG-HB2SOF-8-1
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
10,805 ГГц ~ 1,88 ГГц
Увеличение:
16dB
Пакет / чемодан:
PG-HB2SOF-8-1
Настоящий - тест:
800 мам
Сила - выход:
320W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
10µA
Номер базовой продукции:
PXAE183708
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
320 Вт, SI LDMOS, 28 Вт, 1805-1880 МГц
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 800 мА 1,805–1,88 ГГц 16 дБ 320 Вт PG-HB2SOF-8-1

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас