logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
GTVA355001EC-V1-R0
  • GTVA355001EC-V1-R0
GTVA355001EC-V1-R0

GTVA355001EC-V1-R0

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
125 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
GaN
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
H-36248-2
Напряжение тока - тест:
50 v
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
20,9 ГГц ~ 3,5 ГГц
Увеличение:
13.5dB
Пакет / чемодан:
H-36248-2
Настоящий - тест:
200 мам
Сила - выход:
500 Вт
Технологии:
HEMT
Настоящая оценка (Amps):
-
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
500 Вт, GAN HEMT, 50 В, 2,9-3,5 ГГц
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 50 V 200 mA 2,9 ГГц ~ 3,5 ГГц 13,5 дБ 500 Вт H-36248-2

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас