logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БЛМ7Г22С-60ПБИ
  • БЛМ7Г22С-60ПБИ
БЛМ7Г22С-60ПБИ

БЛМ7Г22С-60ПБИ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Конфигурация:
Двойной
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
16-HSOPF
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
2.14 ГГц
Увеличение:
31.5dB
Пакет / чемодан:
SOT-1211-2
Настоящий - тест:
75 мам
Сила - выход:
1.6W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
BLM7
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 RF
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 V 75 mA 2,14GHz 31,5dB 1,6W 16-HSOPF

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас