logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
БЛМ9Д1822-30БЗ
  • БЛМ9Д1822-30БЗ
БЛМ9Д1822-30БЗ

БЛМ9Д1822-30БЗ

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Конфигурация:
Двойной
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
20-PQFN (8x8)
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
1.8GHz | 2.2GHz
Увеличение:
290,3 дБ
Пакет / чемодан:
20-QFN подвергло пусковая площадка действию
Настоящий - тест:
110 мам
Сила - выход:
450,9 дБм
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
1,4 мкА
Номер базовой продукции:
BLM9
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 110 мА 1,8–2,2 ГГц 29,3 дБ 45,9 дБм 20-PQFN (8x8)

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас