logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLP8G05S-200GY
  • BLP8G05S-200GY
BLP8G05S-200GY

BLP8G05S-200GY

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
65 v
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Конфигурация:
Двойной, общий источник
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
4-HSOP
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
440 МГц
Увеличение:
21dB
Пакет / чемодан:
SOT-1204-2
Настоящий - тест:
2 мамы
Сила - выход:
210W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Номер базовой продукции:
BLP8
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 2 мА 440 МГц 21 дБ 210 Вт 4-HSOP

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас