logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
NE5511279A-T1-A
  • NE5511279A-T1-A
NE5511279A-T1-A

NE5511279A-T1-A

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Расклассифицированное напряжение тока -:
20 v
Пакет:
Раскроенная лента (CT) Digi-Reel®
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
79A
Напряжение тока - тест:
7,5 v
Мфр:
CEL
Частота:
900MHz
Увеличение:
15dB
Пакет / чемодан:
4-SMD, плоские руководства
Настоящий - тест:
400 мам
Сила - выход:
40dBm
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
3A
Номер базовой продукции:
NE55112
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 7,5 В 400 мА 900 МГц 15 дБ 40 дБм 79 А

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас