logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
CG2H80120D-GP4
  • CG2H80120D-GP4
CG2H80120D-GP4

CG2H80120D-GP4

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Расклассифицированное напряжение тока -:
84 v
Пакет:
Поднос
Серия:
GaN
Пакет изделий поставщика:
УМРИТЕ
Напряжение тока - тест:
28 v
Мфр:
Wolfspeed, Inc.
Частота:
8GHz
Увеличение:
12dB
Пакет / чемодан:
УМРИТЕ
Сила - выход:
120W
Технологии:
HEMT
Настоящая оценка (Amps):
28A
Номер базовой продукции:
CG2H80120
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
120W GAN HEMT 28V 8,0 ГГц DIE, G2
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 28 В 8 ГГц 12 дБ 120 Вт

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас