logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
NE5520379A-T1A-A
  • NE5520379A-T1A-A
NE5520379A-T1A-A

NE5520379A-T1A-A

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
15 v
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
79A
Напряжение тока - тест:
3,2 v
Мфр:
CEL
Частота:
915MHz
Увеличение:
16dB
Пакет / чемодан:
4-SMD, плоские руководства
Настоящий - тест:
600 мам
Сила - выход:
35.5 дБм
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
-
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
Силиконовый средний мощность LDMOSFET, R
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 3,2 V 600 mA 915MHz 16dB 35,5dBm 79A

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас