logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
0912GN-650В
  • 0912GN-650В
0912GN-650В

0912GN-650В

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Расклассифицированное напряжение тока -:
150 v
Пакет:
Насыщенные
Серия:
V
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
55-КР
Напряжение тока - тест:
50 v
Мфр:
Технология микрочипов
Частота:
960 МГц ~ 1,215 ГГц
Увеличение:
18dB
Пакет / чемодан:
55-КР
Настоящий - тест:
100 мам
Сила - выход:
650W
Технологии:
HEMT
Настоящая оценка (Amps):
-
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
TRAN, GAN, 960-1215 MHZ, 650 Вт, 5
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 50 В 100 мА 960 МГц ~ 1,215 ГГц 18 дБ 650 Вт 55-KR

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас