logo
Отправить сообщение
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
Электронная почта ice@tsdatech.com ТЕЛЕФОН: 86--13825240555
Дом > продукты > Обломок IC транзистора >
BLS6G2731S-120,112
  • BLS6G2731S-120,112
BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112

Детали продукта
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Держатель шасси
Расклассифицированное напряжение тока -:
60 v
Пакет:
Поднос
Серия:
-
Диаграмма шума:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT502B
Напряжение тока - тест:
32 v
Мфр:
Ampleon США Inc.
Частота:
20,7 ГГц ~ 3,1 ГГц
Увеличение:
13.5dB
Пакет / чемодан:
SOT-502B
Настоящий - тест:
100 мам
Сила - выход:
120W
Технологии:
ldmos
Настоящая оценка (Amps):
33А
Номер базовой продукции:
BLS6
Условия оплаты & доставки
Запасы
В наличии
Способ перевозки
LCL, AIR, FCL, Express
Описание
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
Условия оплаты
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Характер продукции
RF Mosfet 32 V 100 mA 2,7 ГГц ~ 3,1 ГГц 13,5 дБ 120 Вт SOT502B

Бирки:

Обломок IC транзистора,

Врезанный обломок,

Врезанный обломок SMD

Порекомендованные продукты

КОНТАКТ США В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ

86--13825240555
609 но. 4018, baoan дорога, улица Xixiang, район Baoan, Шэньчжэнь, Гуандун
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Отправьте ваше дознание сразу в нас